N型LDMOS器件在关态雪崩击穿条件下的退化

• 作者: 丁扣宝 朱大中 郭维 韩成功 韩雁
• 来源期刊: 浙江大学学报（工学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 横向双扩散N型MOS器件 雪崩击穿 导通电阻退化 电荷泵
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 无线电电子学、电信技术
• 页码范围: 1038-1042
• 页数: 5页
• 分类号: TN40
• 语种: 中文
• DOI: 10.3785/j.issn.1008-973X.2011.06.012

摘要

针对功率开关管在未箝位电感性开关转换时会反复发生雪崩击穿,引起器件参数退化的问题,对一种20V N 型横向双扩散 MOS 器件(NLDMOS)在关态雪崩击穿条件下导通电阻的退化进行研究.通过恒定电流脉冲应力测试、TCAD(technology computer-aided design)仿真和电荷泵测试,分析研究导通电阻退化发生的区域及退化的微观机理,并针对实验结果提出2种退化机制:(1) NLDMOS漂移区中的空穴注入效应,这种机制会在器件表面产生镜像负电荷,造成开态导通电阻Ron的减少;(2)漂移区中的表面态增加效应,这种机制会造成载流子迁移率的下降,引起Ron的增加.这2种机制都随着雪崩击穿电流的增加而增强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁扣宝		18	85	6.0	8.0
2	韩雁		62	299	9.0	15.0
3	朱大中		43	188	8.0	11.0
4	郭维		5	79	4.0	5.0
5	韩成功		3	2	1.0	1.0