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摘要:
提出了一种具有宽输入范围、高电源抑制比(PSRR)的带隙基准电路的设计方法.它由自偏置电路、两级预调整电路、带隙基准核心电路及反馈控制电路组成.采用TSMC0.25umBCD工艺,电压输入范围从6V到60V,在整个温度范围(-40℃-125℃)内的温漂为7.3ppm/℃,低频下的PSRR为-103dB,在10MHz处仍有-86.7dB.
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文献信息
篇名 一种宽输入范围高电源抑制比的带隙基准电路
来源期刊 科协论坛(下半月) 学科 工学
关键词 宽输入范围 高电源抑制比 带隙基准电压源
年,卷(期) 2011,(5) 所属期刊栏目 科研探索与知识创新
研究方向 页码范围 78-80
页数 分类号 TN432
字数 2673字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1007-3973.2011.05.047
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高电源抑制比
带隙基准电压源
研究起点
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科协论坛(下半月)
月刊
1007-3973
42-1341/G3
大16开
湖北省武汉市
1986
chi
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10576
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