ESD对双极型硅器件的损伤机理研究

• 作者: 刘进 谢鹏浩 谭志良 陈永光
• 来源期刊: 核电子学与探测技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 静电放电 损伤机理 双极型硅器件 模型
• 年，卷（期）: 2011,（10）
• 页码范围: 1147-1151
• 分类号: O441.1
• 字数: 2596字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-0934.2011.10.019

摘要

通过理论分析,建立了双极型硅器件的ESD损伤模型,表明ESD对该类器件的损伤主要是过热失效模式.ESD电压较高时,静电放电电流引起局部过热导致PN结峰值温度达到硅的熔融温度(1 413℃)而使器件击穿烧毁；ESD电压较低时,电触点的峰值温度超过铝硅共晶的熔融温度(577℃),使器件参数退化从而发生潜在性失效.将实验结果与模型分析比较,结果吻合良好.因此,在知道器件生产工艺参数的情况下,就可计算出器件的ESD损伤阈值,为双极型硅器件的设计、参数优化提供了理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘进	军械工程学院静电与电磁防护研究所	56	208	8.0	12.0
2	谭志良	军械工程学院静电与电磁防护研究所	62	313	9.0	15.0
3	谢鹏浩	军械工程学院静电与电磁防护研究所	18	58	3.0	7.0
4	陈永光	军械工程学院静电与电磁防护研究所	42	296	10.0	15.0