热释电红外读出电路的设计与验证

• 作者: 李威 李平 胡滨
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 红外焦平面阵列 读出电路 浅耗尽MOS晶体管 电阻反馈跨阻放大器
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 电路与系统设计
• 页码范围: 469-472
• 分类号: TN21
• 字数: 1827字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2012.04.006

摘要

设计并验证了亚阈区MOS管作反馈大电阻的电阻反馈跨阻型(RTIA)非制冷热释电红 外焦平面读出电路.在此基础上,对采用浅耗尽(Native) MOS管实现同样功能的RTIA进行仿真.与采用特殊高阻薄膜材料的RTIA不同,两种设计方案实现的RTIA不增加工艺步骤,有效降低了芯片的制造成本,再配合两管共源放大器,构建了像元下前置高增益放大器.此外,相对于亚阈区MOS RTIA,浅耗尽MOS RTIA可节省偏置电路,设计更加简洁.亚阈区MOS RTIA经流片验证,在5V电源电压下,实现增益为40 dB、带宽为60 kHz、输出摆幅为3V,符合混合或单片集成热释电探测器阵列的设计要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李平	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	144	1645	22.0	36.0
2	李威	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	49	283	8.0	14.0
3	胡滨	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	10	61	5.0	7.0