离子源对中频反应磁控溅射AlN薄膜结构和性能的影响

• 作者: 代明江 刘兰兰 曾德长 林松盛 胡芳
• 来源期刊: 中国表面工程
• 学科: 工学
• 关键词: AlN薄膜 离子源 中频反应磁控溅射 非晶化
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 表面工程研究
• 页码范围: 42-46
• 分类号: TG174.442
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-9289.2012.06.007

摘要

采用离子源辅助中频反应磁控溅射技术在单晶硅及硬质合金基体上沉积AlN薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、显微硬度计、薄膜结合强度划痕试验仪等对薄膜结构及性能进行表征,着重研究了离子源对中频反应磁控溅射AlN薄膜结构和性能的影响.结果表明:离子源的辅助沉积有利于AlN相的合成,当离子源功率大于0.7 kW时,AlN沿(100)晶面择优取向明显,当离子源功率为1.3 kW时,所沉积膜层有向非晶化转变的趋势.同时,随着离子源功率的增加,所沉积的AlN薄膜致密度和膜、基结合力均显著提高,而膜层沉积速率和硬度则呈先上升后降低的规律.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾德长	华南理工大学材料科学与工程学院	127	548	11.0	17.0
2	林松盛	华南理工大学材料科学与工程学院	45	332	11.0	14.0
4	胡芳	广州有色金属研究院新材料研究所	13	62	5.0	7.0
5	代明江	广州有色金属研究院新材料研究所	52	458	13.0	18.0
8	刘兰兰	华南理工大学材料科学与工程学院	2	4	1.0	2.0