Al-N共掺杂p型ZnO薄膜制备及电学性能的研究

• 作者: 孔春阳 梁薇薇 秦国平 阮海波
• 来源期刊: 重庆师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: Al-N共掺 p-ZnO N离子注入 XPS
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 理论与应用研究
• 页码范围: 68-71
• 分类号: O47
• 字数: 3043字
• 语种: 中文
• DOI: 50-1165/N.20120314.1927.014

摘要

利用射频磁控溅射技术在石英玻璃上制备了ZnO:Al薄膜,继而N离子注入实现薄膜的Al-N共掺杂,随后进行了不同温度和时间的热处理.并借助X射线衍射(XRD)、霍耳测试(Hall)、X射线光电能谱仪(XPS)等手段对ZnO薄膜的性能进行了表征.实验结果表明,Al-N共掺杂ZnO薄膜在578℃退火8 min表现出较稳定的p型导电,其载流子数高达1×1018～6×1018个·cm-3,对应的电阻率为1～9 Ω·cm,迁移率为1～2 cm2·V-1·s-1.与单掺N相比,实现p型导电所需的退火温度有明显降低,这很可能与Al的掺入有关.此外,XPS测试结果证实大量的Ni取代O空位是薄膜p型导电的根本原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孔春阳	重庆师范大学物理与电子工程学院	28	226	7.0	14.0
2	阮海波	重庆大学物理学院	6	15	3.0	3.0
3	秦国平	重庆师范大学物理与电子工程学院	2	3	1.0	1.0
7	梁薇薇	重庆师范大学物理与电子工程学院	1	3	1.0	1.0