扩散温度和时间对晶体硅太阳电池性能的影响

• 作者: 乐栋贤 梅建滨 王丽 王晓忠 陈阿青
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 扩散温度 扩散时间 薄层方块电阻 单晶硅太阳电池 转换效率
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 62-65
• 分类号: TN366
• 字数: 2611字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2012.04.018

摘要

研究了薄层方块电阻对单晶硅太阳电池的开路电压(Voc)、短路电流(Isc)、填充因子(FF)和转换效率(η)的影响.通过控制扩散温度和时间制备了具有不同薄层方块电阻的单晶硅太阳电池.结果表明:当扩散温度和时间分别为863℃和1 050 s时,电池性能得到了有效的改善,其平均开路电压、短路电流、填充因子和转换效率分别为0.64V,5.58A,0.755和17.3％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王丽	乐山职业技术学院新能源工程系	13	38	4.0	6.0
2	乐栋贤	乐山职业技术学院新能源工程系	6	10	1.0	3.0
3	王晓忠	乐山职业技术学院新能源工程系	5	27	2.0	5.0
4	陈阿青	乐山职业技术学院新能源工程系	2	11	1.0	2.0
5	梅建滨	乐山职业技术学院新能源工程系	2	11	1.0	2.0