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摘要:
【正】目前我国IGBT产业在国家政策及重大项目的推动及市场牵引下得到了迅速发展,呈现出大尺寸区溶(FZ)单晶材料、IGBT芯片工艺和IGBT模块封装技术全面蓬勃发展的大好局面。
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可靠性预计
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 IGBT芯片和IGBT模块封装技术全面蓬勃发展
来源期刊 半导体信息 学科 工学
关键词 IGBT模块 模块封装 技术全面 单晶材料 宽禁带 功率半导体 载流子存储 阻断电压 半导体集成电路 制造设备
年,卷(期) bdtxx,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 29-32
页数 4页 分类号 TN322.8
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研究主题发展历程
节点文献
IGBT模块
模块封装
技术全面
单晶材料
宽禁带
功率半导体
载流子存储
阻断电压
半导体集成电路
制造设备
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体信息
双月刊
16开
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东
1990
chi
出版文献量(篇)
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