中国IGBT功率半导体器件产业观察

• 作者: 赵洁
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 功率半导体器件 IGBT 双极晶体管 通态电流 功率晶体管 器件技术 逆变器 智能电网 高压直流 电力电子技术
• 年，卷（期）: bdtxx,（2）
• 页码范围: 32-34
• 页数: 3页
• 分类号: TN322.8

摘要

【正】IGBT是功率器件技术演变的最新产品,是未来功率器件的主流发展方向。IGBT器件是一种MOSFET与双极晶体管复合器件。既有功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高的优点,又有功率晶体管的导通电压低、通态电流大、损耗小的优点。基于技术和功能上的优势,IGBT产品可以实现对以往功率