膜厚对柔性ZnO∶Ga透明导电薄膜结构和电学性能的影响

• 作者: 吴晓丽 袁玉珍
• 来源期刊: 山东理工大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO∶Ga PI 柔性衬底 直流磁控溅射 透明导电薄膜 电学性能
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 页码范围: 10-13
• 页数: 4页
• 分类号: O484|TN304.055
• 字数: 2808字
• 语种: 中文

摘要

室温下采用直流磁控溅射法在PI衬底上制备出具有优异光学性能的ZnO∶Ga透明导电薄膜.研究结果表明,制备了具有C轴择优取向的六角纤锌矿结构的多晶GZO透明导电薄膜.讨论了薄膜厚度对PI衬底上制备ZnO∶Ga薄膜的结构、表面形貌和电学性质的影响.实验数据表明,一定同质缓冲层可有效降低薄膜应力,改善薄膜性能,所得GZO薄膜厚度为129nm时,电阻率具有最小值3.2×10-4Ω·cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁玉珍	山东理工大学理学院	26	159	7.0	11.0
2	吴晓丽	山东理工大学材料科学与工程学院	1	3	1.0	1.0