基片温度对磁控溅射沉积二氧化硅的影响

• 作者: 史继富 徐刚 熊斌
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 基片温度 沉积速率 折射率
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 44-46
• 分类号: TB742
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0322.2012.02.012

摘要

本文详细地研究了基片温度对磁控溅射沉积二氧化硅的影响,随着基片温度的增加,溅射沉积速率下降明显,薄膜的折射率也出现上升趋势,薄膜也由低温时的疏松粗糙发展为致密光滑.250℃时的溅射沉积速率仅为室温时的1/3,由此,针对间歇式在大面积玻璃上沉积二氧化硅薄膜,我们采取了沉积完ITO薄膜后,先快速降温,再沉积二氧化硅的工艺.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐刚	中国科学院广州能源研究所	84	1017	15.0	29.0
5	熊斌	中国科学院广州能源研究所	54	412	11.0	16.0
14	史继富	中国科学院广州能源研究所	8	163	5.0	8.0