基于157nm激光的GaN外延片激光抛光和划片工艺研究

• 作者: 徐刚 戴玉堂 肖翔 陈赛华
• 来源期刊: 机械科学与技术
• 学科: 工学
• 关键词: 157nm准分子激光 抛光 划片 工艺参数
• 年，卷（期）: 2012,（10）
• 页码范围: 1588-1591
• 页数: 4页
• 分类号: TN249
• 语种: 中文

摘要

157 nm准分子激光的刻蚀精度高,热影响区极小,是较为理想的半导体材料微加工手段之一。通过大量实验对比,分析157 nm激光对GaN外延片抛光和划片加工过程中,各工艺参数对加工质量的影响。实验结果表明,157 nm激光抛光GaN外延片时,被刻蚀面单位面积累计辐射能量在一定范围内,会得到较好的表面粗糙度（Ra值约20 nm）。157 nm激光用于划片加工时,切槽内辐射的能量越高,残留物质越少,槽加工得越深,两侧壁面也更为陡峭;另外在扫描加工过程中适当地移动工作台高度,可以获得更好的加工效果。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴玉堂		40	174	7.0	12.0
2	徐刚		30	71	6.0	8.0
3	陈赛华		3	11	2.0	3.0
4	肖翔		6	7	1.0	2.0