改善沉积氮化硅薄膜对FFS-TFT透明电极ITO影响的研究

• 作者: 刘翔 周伟峰 孙冰 宁策 张学辉 戴天明 杨静 薛建设 郝照慧
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: FFS-TFT 铟锡氧化物 氮化硅 透过率 薄雾
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 电子器件
• 页码范围: 36-38
• 分类号: TN305.7
• 字数: 1254字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2012.01.08

摘要

研究了在FFS-TFT制作工艺中,沉积非晶氮化硅薄膜对透明金属ITO的影响.结果表明沉积氮化硅薄膜的硅烷流量对ITO的透过率有着很大影响,降低硅烷的流量可以阻止薄雾状姆拉的产生.通过优化氮化硅薄膜沉积条件,先在透明导电金属ITO薄膜上面使用低流量硅烷沉积一薄层氮化硅作为缓冲层,然后使用高流量的硅烷在其上再沉积氮化硅薄膜,这样不仅解决了薄雾状姆拉,同时还以提高氮化硅的沉积速率,满足生产需求.