高耐压LDMOS用的高K薄膜湿法刻蚀研究

• 作者: 张国俊 束平 王伟宾 王姝娅 赵远远 霍伟荣
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: 高K薄膜 锆钛酸铅(PZT)薄膜 湿法刻蚀 LDMOS 刻蚀速率
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 压电功能材料
• 页码范围: 114-117
• 分类号: TM215.3|TN405
• 字数: 2352字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-2474.2012.01.029

摘要

为了对横向双扩散MOSFET(LDMOS)器件所采用的锆钛酸铅(PZT)高介电常数(高K)薄膜进行微图形化,对湿法刻蚀过程中腐蚀液、光刻、刻蚀等工艺进行了优化研究,发现由BOE+HCl+ HNO3+ H2O+缓冲剂组成的腐蚀液刻蚀效果较好.刻蚀结果表明,所刻蚀薄膜的厚度约为600 nm,最小线条宽度约为3 μm,侧蚀比减小到1.07:1,符合功率器件制备的尺度要求,由此所制备的LDMOS器件耐压提高了近2倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张国俊	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	57	231	8.0	11.0
2	王姝娅	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	14	45	4.0	6.0
3	霍伟荣	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	5	36	2.0	5.0
4	王伟宾	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	3	4	1.0	2.0
5	赵远远	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	4	4	1.0	2.0
6	束平	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	3	3	1.0	1.0