偏压对磁控溅射沉积立方氮化硼薄膜的影响

• 作者: 左敦稳 张旭辉 徐锋 户海峰 王珉
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 立方氮化硼薄膜 磁控溅射 衬底偏压 离子轰击 立方相
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 页码范围: 853-857
• 页数: 5页
• 分类号: TB43
• 字数: 3834字
• 语种: 中文

摘要

合适的衬底偏压是物理气相沉积制备cBN的必须条件,本文采用基于蒙特卡洛方法的SRIM软件对PVD过程中离子轰击衬底进行了分析,并进行了相关的实验研究.仿真与实验结果显示,随着离子轰击能量的增加,离子轰击深度和范围扩大,有利于cBN的成核与生长,但是过大的轰击能量会导致薄膜表面N与B元素的不匹配以及薄膜立方相的下降.同时,在PVD气氛中适量添加N2可以弥补薄膜表面N元素的损失,有利于提高立方相含量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	左敦稳	南京航空航天大学机电学院	510	3780	26.0	32.0
2	徐锋	南京航空航天大学机电学院	85	541	13.0	18.0
3	王珉	南京航空航天大学机电学院	205	2631	27.0	40.0
4	张旭辉	南京航空航天大学机电学院	7	22	3.0	4.0
5	户海峰	南京航空航天大学机电学院	4	14	2.0	3.0