退火对栅介质SrHfON薄膜性能的影响

• 作者: 冯丽萍 刘其军 刘正堂 刘璐 王雪梅 田浩
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 栅介质 SrHfON薄膜 射频磁控溅射
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 材料工艺
• 页码范围: 925-928
• 分类号: TN386
• 字数: 2701字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-185X.2012.05.036

摘要

采用射频磁控溅射法在Si衬底上制备新型栅介质SrHfON薄膜.采用X射线衍射(XRD)仪、高分辨透射电镜(HRTEM)和X射线光电子谱(XPS)分析退火对SrHfON薄膜的界面形态、薄膜的结构和电学性能的影响.结果表明,SrHfON薄膜经900℃退火后仍保持非晶态,表现出良好的热稳定性.SrHfON薄膜与Si衬底的界面主要由HfSixOy和SiO2组成.以SrHfON薄膜为栅介质的MOS电容结构具有较小的漏电流密度,并且漏电流密度随着退火温度的升高而减小.在外加偏压(Vg)为+1V时样品在沉积态和900℃退火后的漏电流密度分别为4.3× 10-6和1.2×10-7A/cm2.研究表明,SrHfON薄膜是一种很有希望替代SiO2的新型栅介质材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘璐	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	10	15	3.0	3.0
2	刘正堂	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	120	749	14.0	21.0
3	冯丽萍	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	45	159	7.0	9.0
4	刘其军	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	27	69	5.0	7.0
5	王雪梅	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	2	2	1.0	1.0
6	田浩	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	8	19	2.0	4.0