硅圆片等离子表面活化直接键合工艺研究

• 作者: 余军星 文昌俊 聂磊 黄蓉
• 来源期刊: 电子世界
• 关键词: 等离子 表面活化 关键因素
• 年，卷（期）: 2012,（21）
• 所属期刊栏目: 科研发展
• 页码范围: 103-104
• 页数: 2页
• 字数: 982字
• 语种: 中文

摘要

利用等离子轰击硅圆片表面,可提高其表面能,实现直接键合.在严格控制好工艺参数的情况下,用等离子体对硅圆片表面进行活化,能大大的提高键合强度,产生极少的空洞或空隙,得到一个较好的键合效果.本文针对等离子表面活化的工艺特点,选择了合理的参数,得到了较优化的工艺,试验结果证明此工艺能够实现无明显界面缺陷的直接键合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	文昌俊	湖北工业大学机械工程学院	28	165	8.0	11.0
2	聂磊	湖北工业大学机械工程学院	21	36	4.0	4.0
3	黄蓉	湖北工业大学机械工程学院	3	10	3.0	3.0
4	余军星	湖北工业大学机械工程学院	3	10	3.0	3.0