混合磨料对LED用蓝宝石衬底CMP质量的影响

• 作者: 于江勇 刘玉岭 夏显召 李英的 牛新环
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 蓝宝石衬底 化学机械抛光 混合磨料 去除速率
• 年，卷（期）: 2012,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 84-86
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 1598字
• 语种: 中文

摘要

分析了混合磨料在蓝宝石衬底化学机械抛光(CMP)过程中的作用机理,并对比了SiO2水溶胶磨料和SiO2与Al2O3混合磨料对蓝宝石衬底去除速率的影响.研究表明,在主磨料SiO2水溶胶中加入浓度为20mL/L同粒径纳米级的Al2O3可以使CMP过程中的化学作用与机械作用达到相互平衡,使抛光去除速率得到明显提高.在距抛光终点5～10min通过调整工艺参数与抛光液配比,使表面粗糙度由2.32nm降至0.236nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	牛新环	河北工业大学微电子研究所	69	406	10.0	17.0
3	李英的	河北工业大学微电子研究所	2	19	2.0	2.0
4	夏显召	河北工业大学微电子研究所	3	23	3.0	3.0
5	于江勇	河北工业大学微电子研究所	2	19	2.0	2.0