InAs/GaSbⅡ型超晶格的锯齿形解理

• 作者: 刘镇洋 史衍丽 崔其霞 耿继国 隋曼龄
• 来源期刊: 电子显微学报
• 学科: 工学
• 关键词: InAs/GaSb超晶格 解理 HRTEM 几何相位分析
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 198-205
• 页数: 8页
• 分类号: TN304|O7|TG115.21+5.3
• 字数: 3135字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.1000-6281.2013.03.003

摘要

本文利用高分辨透射电子显微技术及高分辨像几何相位分析技术,对分子束外延方法生长在GaSb(001)面上的InAs/GaSbⅡ型超晶格材料进行了界面显微结构和解理特征的研究.众所周知,InAs和GaSb都是立方硫化锌结构,具有平行于{110}面的六组完全解理面,然而,本工作中发现InAs/GaSb超晶格的解理面发生改变,平行于{111}面解理,并在InAs/GaSb界面处发生扭折,呈现锯齿状解理边缘.而在InAs盖帽层即非超晶格区域内,解理面依然平行于{110}面.通过建立超晶胞模型与计算分析表明,在超晶胞中由于共格应力的对称性降低,(110)面的电中性发生改变,导致解理面从电中性的{110}面转变为面网密度最大的{111}面.界面两侧应力分布分析结果表明,锯齿状{111}解理边缘是Ga-As型界面与In-Sb型界面所受应力作用不同的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史衍丽		41	372	8.0	18.0
2	崔其霞	北京工业大学固体微结构与性能研究所	1	0	0.0	0.0
3	耿继国	北京工业大学固体微结构与性能研究所	2	0	0.0	0.0
4	隋曼龄	北京工业大学固体微结构与性能研究所	15	43	4.0	6.0