GaN HEMT非线性输出电容寄生参数研究

• 作者: 吕国强 孙世滔 李川 蔡斐
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 功率放大器 高效率 GaN HEMT 非线性电容
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 760-764
• 页数: 5页
• 分类号: TM514.4
• 字数: 3135字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2013.06.002

摘要

分析了GaN(氮化镓)HEMT(高电子迁移率晶体管)非线性输出电容寄生参数Cout与功率放大器效率的关系.通过建立非线性电路模型分析得出,Cour与外部合适的匹配电路结合能产生类似电压半正弦波,电流方波的最优效率波形.选用GaN HEMT器件设计S频段射频功率放大器,实测结果显示该放大器最高漏极效率(DE)为81.7％,功率附加效率(PAE)78.56％,功率为41.16 dBm,在100 M带宽内PAE也可达74.49％以上,并且结构简单.实测结果验证了原理分析的可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡斐	合肥工业大学特种显示技术教育部重点实验室	10	47	4.0	6.0
5	李川	合肥工业大学特种显示技术教育部重点实验室	6	23	4.0	4.0
14	孙世滔	合肥工业大学特种显示技术教育部重点实验室	2	8	2.0	2.0