P型Cd1-xZnxTe薄膜的制备及性质研究

• 作者: 冯良桓 张静全 曾广根 李卫 武莉莉 江洪超 王文武 赵宇
• 来源期刊: 光谱学与光谱分析
• 学科: 化学
• 关键词: Cd1-xZnxTe薄膜 P型掺杂 退火
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 页码范围: 1295-1298
• 页数: 4页
• 分类号: O657.3
• 字数: 2968字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3964/j.issn.1000-0593(2013)05-1295-04

摘要

采用Cu对共蒸发法制备的Cd1-xZnx Te薄膜进行p型掺杂.用X射线荧光、X射线衍射、扫描电镜、紫外-可见分光光度计、热探针、四探针和台阶仪研究了不同Cu掺杂浓度下Cd1-xZnx Te薄膜退火前后的组分、结构、形貌、光学性质及电学性质的变化.结果表明掺Cu 10％的薄膜在退火后导电类型由P型转变为N型、电阻率增大了几个数量级；掺铜20％的样品退火后导电类型和电阻率未发生明显改变,退火后薄膜表面较为均匀完整；掺铜30％的薄膜透过率显著下降到10％以下,退火前后均为P型薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯良桓	四川大学材料科学与工程学院	78	424	10.0	17.0
2	王文武	四川大学材料科学与工程学院	27	9	2.0	2.0
3	张静全	四川大学材料科学与工程学院	69	285	8.0	15.0
4	赵宇	四川大学材料科学与工程学院	61	143	7.0	10.0
5	武莉莉	四川大学材料科学与工程学院	56	217	8.0	13.0
6	曾广根	四川大学材料科学与工程学院	21	17	2.0	3.0
7	江洪超	四川大学材料科学与工程学院	2	0	0.0	0.0