TiO2/SiOxNy/SiO2层叠结构栅介质的电容-电压特性研究

• 作者: 徐文彬
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: SiOxNy TiO2 层叠介质
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 34-36
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 1791字
• 语种: 中文

摘要

本文讨论了以射频磁控溅射为主要工艺制备的TiO2/SiOxNy/SiO2结构高k栅介质.文中重点讨论了不同成分界面SiOxNy薄膜作用下,栅介质整体电容-电压特性的异同,并论述了SiO2界面层在保证栅介质良好电学性能方面的作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐文彬	集美大学信息工程学院	10	21	3.0	4.0