芯片级封装互连体在电流作用下的损伤行为

• 作者: 刘志权 刘春忠 郑凯
• 来源期刊: 沈阳航空航天大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 微电子封装 失效 电迁移 孔洞 熔断
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 所属期刊栏目: 材料工程
• 页码范围: 54-59
• 页数: 6页
• 分类号: TN406
• 字数: 3298字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2095-1248.2013.05.012

摘要

随着电子封装互连焊点尺寸的不断减小,其电流密度越来越大,产生大量的焦耳热,焊点在服役中受到热场和电场共同作用,导致焊点的熔断失效.本文在常温环境和低温环境下分别加载1.0A恒定电流的作用下,分析了CSP(Chip Size Package,即芯片级封装)样品的失效过程以及在不同服役条件下的Sn-3.8Ag-0.7Cu微焊球横截面的组织变化.得出互连体的失效行为分为三个阶段,并观察到互连焊点的界面处化合物Cu6 Sn5在PCB(Printed circuit board,即印刷电路板)端界面处的生长和芯片端UBM(Under Ball Metal,即凸点下金属层)层Cu的消耗,同时得到降低其环境温度抑制CSP样品失效的结论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘春忠	沈阳航空航天大学材料科学与工程学院	24	19	3.0	3.0
2	郑凯	沈阳航空航天大学材料科学与工程学院	1	1	1.0	1.0