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剑桥大学CCS系统实现6英寸硅晶片生长氮化镓外延
剑桥大学CCS系统实现6英寸硅晶片生长氮化镓外延
作者:
赵佶
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
CCS系统
硅晶片
氮化镓
MOCVD
调试工作
光致发光
研究中心
皮尔斯
托尼
原子力显微镜
摘要:
【正】德国爱思强股份有限公司(Aixtron)日前宣布,剑桥大学在材料科学与冶金系的新设施中成功完成另一套多晶片近耦合喷淋头(CCS)MOCVD反应器的调试工作。据爱思强称,剑桥大学该套6×2英寸的CCS系统将配置为可以处理一片6
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篇名
剑桥大学CCS系统实现6英寸硅晶片生长氮化镓外延
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CCS系统
硅晶片
氮化镓
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原子力显微镜
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主办单位:
中国半导体行业协会分立器件分会
中国电子科技集团公司第五十五研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
CN:
开本:
16开
出版地:
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东
邮发代号:
创刊时间:
1990
语种:
chi
出版文献量(篇)
5953
总下载数(次)
11
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