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PECVD技术制备低折射率光学薄膜
PECVD技术制备低折射率光学薄膜
作者:
周顺
杭凌侠
胡九龙
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
薄膜
PECVD
低折射率
SiOF
摘要:
采用等离子体增强化学气相沉积法在硅片上沉积含氟氧化硅薄膜,用椭偏仪测量薄膜的光学参数,研究了在固定抽速和真空度自动调节情况下C2F6气体流量的变化对薄膜折射率、消光系数、沉积速率的影响.实验表明在温度300℃、射频功率200 W、压力20 Pa,SiH4 60 sccm,N2O4 40 sccm,C2F6 30 sccm的工艺参数下沉积的薄膜在550 nm处折射率为1.37,消光系数4×10-4,可作为光学减反膜的材料.
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内容分析
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文献信息
篇名
PECVD技术制备低折射率光学薄膜
来源期刊
表面技术
学科
工学
关键词
薄膜
PECVD
低折射率
SiOF
年,卷(期)
2013,(2)
所属期刊栏目
应用技术
研究方向
页码范围
95-97
页数
分类号
TG174.444|O484.4
字数
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
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G指数
1
杭凌侠
93
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15.0
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3
周顺
32
113
6.0
8.0
7
胡九龙
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2020(2)
引证文献(1)
二级引证文献(1)
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节点文献
薄膜
PECVD
低折射率
SiOF
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
表面技术
主办单位:
中国兵器工业第五九研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-3660
CN:
50-1083/TG
开本:
16开
出版地:
重庆市2331信箱(重庆市九龙破区石桥铺渝州路33号)
邮发代号:
78-31
创刊时间:
1972
语种:
chi
出版文献量(篇)
5547
总下载数(次)
30
总被引数(次)
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