AlN隔离层对MOCVD制备的AlGaN/AlN/GaN HEMT材料电学性质的影响

• 作者: 张宝顺 张晓东 李影智 范亚明 邓旭光 邢艳辉 陈翔 韩军
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 材料 AlN 高电子迁移率晶体管 电学性质 二维电子气 迁移率
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 所属期刊栏目: 060材料
• 页码范围: 259-263
• 页数: 5页
• 分类号: TN386|O782+.9
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL201340.0606005

摘要

采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同AlN隔离层厚度的AlGaN/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料.研究了AlN隔离层对HEMT材料电学特性的影响.AlN隔离层厚度约为1.5 nm的HEMT材料,二维电子气浓度和迁移率分别达到1.2×1013cm-2和1680 cm2/Vs、方块电阻低至310 Ω,体现了HEMT材料良好的电学性能.原子力显微镜和高分辨X射线衍射测试结果显示HEMT材料具有较好的表面形貌和异质结界面,较好的异质结界面也有利于增强HEMT材料的二维电子气浓度和迁移率.