高电源抑制比低温漂带隙基准源设计

• 作者: 叶甜春 朱龙飞 莫太山
• 来源期刊: 电子技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准 电源抑制比 二次温漂补偿
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 所属期刊栏目: 集成电路应用
• 页码范围: 35-37,40
• 页数: 4页
• 分类号: TN433
• 字数: 2277字
• 语种: 中文

摘要

设计并实现了一种新的高PSRR、低TC带隙基准源.重点研究了带隙基准源电源抑制能力,尤其是高频PSRR,达到宽频带范围PSRR高性能指标.采用0.35 μm BiCMOS工艺进行仿真,结果表明,PSRR在1 Hz频率下达-108.5 dB,在15 MHz频率下达-58.9 dB；采用二次温漂补偿电路使得带隙基准源常温下输出参考电压1.183 V,在-40℃～95℃温度范围内,温漂系数低达1.5 ppm/℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶甜春	中国科学院微电子研究所	200	911	14.0	18.0
2	莫太山	中国科学院微电子研究所	14	67	5.0	7.0
3	朱龙飞	中国科学院微电子研究所	3	6	1.0	2.0