SRAM型FPGA抗多位翻转布线算法

• 作者: 伊小素 张家铭 张硕 朱明达
• 来源期刊: 实验技术与管理
• 学科: 工学
• 关键词: FPGA SEU TMR MCU
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 所属期刊栏目: 实验技术与方法
• 页码范围: 24-28,32
• 页数: 6页
• 分类号: TN791
• 字数: 3967字
• 语种: 中文

摘要

电路元器件尺寸的小型化使得现场可编门阵列（field programmable gate array ，FPGA ）的配置存储器更易出现单粒子效应而造成多位翻转错误。在空间电子系统中经常使用三模冗余（TMR）技术来对单粒子翻转进行防护，但是对于MCUs（单粒子撞击造成的多位翻转）TMR无法防护。该文提出一种提高 TMR电路可靠性的布线算法，用于对抗MCUs。算法考虑到FPGA配置存储单元的设计信息，同时也考虑了用于记录逻辑资源位置和连接资源位置的逻辑簇信息。通过实验对MCU进行静态分析，将提出的算法用于标准电路的加固测试证明算法的可靠性和有效性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	伊小素	北京航空航天大学光电技术研究所	44	223	9.0	12.0
2	张硕	北京航空航天大学光电技术研究所	10	14	3.0	3.0
3	朱明达	北京航空航天大学光电技术研究所	5	62	3.0	5.0
4	张家铭	北京航空航天大学光电技术研究所	4	9	2.0	2.0