溅射时间对Mo薄膜结晶取向的影响

• 作者: 余洲 冀亚欣 刘连 张勇 张艳霞 李莎莎 欧玉峰 赵勇 闫勇
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 直流磁控溅射 择优取向 晶带模型 电性能
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 所属期刊栏目: 工艺·技术
• 页码范围: 888-892
• 页数: 5页
• 分类号: TB43
• 字数: 3471字
• 语种: 中文

摘要

采用直流磁控溅射法在SLG衬底上沉积Mo薄膜,并用XRD、SEM、四探针等对薄膜进行表征,研究了沉积时间对薄膜晶体结构、表面形貌以及电学性能的影响.研究发现,沉积时间能够调节Mo薄膜的择优取向.溅射时间较短(5～10min)时,沉积的Mo薄膜呈(110)择优取向.溅射时间超过15min后,薄膜呈现(211)取向,且(211)晶面择优程度随沉积时间的增加而提高.随着择优取向的改变,薄膜的表面形貌由三角形颗粒变为长条形颗粒,电阻率也发生相应变化,由3.92×10-5Ω·cm增加到4.27×10-5Ω·cm再降低,对应薄膜生长的晶带模型由晶带T型组织变为晶带2组织.