大规模集成电路抗辐射性能无损筛选方法

• 作者: 任迪远 周东 孙静 席善斌 文林 李豫东 郭旗
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 大规模集成电路 无损筛选 辐射损伤 回归分析 物理应力
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 粒子束技术
• 页码范围: 485-489
• 页数: 5页
• 分类号: TN791
• 字数: 4920字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20132502.0485

摘要

空间辐射环境会对电子器件产生辐射损伤.由于商用器件性能普遍优于抗辐射加固器件,所以从商用器件中筛选出抗辐射性能优异的器件将在一定程度上提高空间电子系统的可靠性.结合数学回归分析与物理应力实验的方法,研究了集成电路抗辐射性能无损筛选技术.通过不同的外界能量注入及总剂量辐照实验,探究电路典型参数的应变情况与电路耐辐射性能的关系,并确定其辐射敏感参数；建立预测电路抗辐射性能的多元线性回归方程,并对应力条件下的回归方程进行辐照实验验证.结果显示,物理应力实验与数学回归分析结合的筛选方法减小了实验值与预测值的偏差,提高了预估方程的拟合优度和显著程度,使预估方程处于置信区间.