0.18μm SOI NMOS单粒子效应中电荷累积机理的仿真研究

• 作者: 李洛宇 杜明 裴国旭 邱恒功
• 来源期刊: 科学技术与工程
• 学科: 物理学
• 关键词: SOI NMOS 电荷积累 单粒子翻转
• 年，卷（期）: 2013,（21）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 6200-6202,6224
• 页数: 4页
• 分类号: O482.4
• 字数: 2002字
• 语种: 中文

摘要

为研究0.18μm SOI工艺集成电路单粒子入射时电荷累积的机理,分别对电容和NMOS进行了单粒子入射的仿真研究.仿真结果表明,单粒子入射时,MOS电容中的电荷累积主要由位移电流引起；而在SOI NMOS中的电荷累积还有第二种机制,即当单粒子入射位置在体漏结附近时,漏极和体接触产生的电荷累积.第二种机制会对SOI工艺集成电路的单粒子加固方法产生重要影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邱恒功		5	9	2.0	2.0
2	裴国旭		8	7	2.0	2.0
3	杜明		6	7	2.0	2.0
4	李洛宇		2	3	1.0	1.0