功率和退火对磁控溅射生长ZnO∶Ga薄膜的影响

• 作者: 叶志镇 吕建国 李霞 陈凌翔
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO∶Ga 磁控溅射 电学性能 功率 退火
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 845-847,907
• 分类号: TB303
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZnO∶Ga透明导电薄膜(GZO).通过X射线衍射(XRD)、四探针电导率测试、紫外可见分光光度等表征方法研究了溅射功率对薄膜结晶特性及光电性能的影响.结果表明:当溅射功率180W时制备的GZO薄膜光电性能最优,方块电阻为9.8Ω/sq,电阻率为8.6×10-4Ω·cm,霍尔迁移率为12.5 cm2/V·s,载流子浓度为5.8×1020 cm-3,可见光透过率超过92％.另外,研究了最优制备条件下的GZO薄膜的高温稳定性,在氩气、氧气和真空气氛下分别对薄膜进行退火处理.结果表明,氩气退火的薄膜电学性能显著提高,是显著改善GZO薄膜性能的有效方法之一;氧气退火不利于薄膜的导电性;真空退火介于两者之间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李霞	浙江大学材料科学与工程系	43	250	9.0	14.0
2	叶志镇	浙江大学材料科学与工程系	155	1638	21.0	35.0
3	吕建国	浙江大学材料科学与工程系	35	769	12.0	27.0
4	陈凌翔	浙江大学材料科学与工程系	6	13	3.0	3.0