采用Sn中介层的覆Al薄膜硅片键合技术研究

• 作者: 于民 朱智源 王少南 缪旻 胡安琪 金玉丰 陈兢
• 来源期刊: 北京大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 圆片级键合 低温 低压 剪切强度
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 页码范围: 741-744
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 1674字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13209/j.0479-8023.2014.118

摘要

研究采用Sn作为中间层键合覆盖Al薄膜的硅片.相对于Al-Al直接热压键合,该系统能提供低温、低压、快速的圆片级键合方案.采用直径为100 mm硅片,溅射一层500 nm厚度的A1层后,在N2气氛下进行450℃,30分钟退火,采用Ar等离子体清洗后,溅射一层500 nm厚度的Sn层.将硅片金属面紧贴在一起放入键合机中键合,在真空中进行.键合时间为3分钟条件下,得到平均剪切强度为9.9 MPa,随着键合时间增加,剪切强度显著降低.