C诱导层温度对Ge/Si量子点溅射生长的影响

• 作者: 刘鹏强 周曦 杨宇 杨杰 王茺
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 离子束溅射 Ge量子点 扩散 C诱导
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 研究?开发
• 页码范围: 5053-5056
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 4101字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2014.05.012

摘要

采用离子束溅射技术,通过改变诱导量子点形成的C层生长温度,在n型Si(100)衬底上自组装生长了一系列Ge量子点。利用 AFM和 Raman光谱对样品的表面形貌和结构进行了表征。实验结果表明,当C层的温度从600℃升高到700℃时,Ge 量子点的密度逐渐降低,且结晶性变差；此时,量子点中的 Si 组分升高。当C层的生长温度从700℃升高到800℃过程中,Ge量子点的密度逐渐增大,结晶性也有所改善；此时,量子点中的Si含量降低。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨杰	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	30	63	4.0	6.0
2	杨宇	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	101	377	9.0	12.0
3	王茺	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	50	148	7.0	8.0
4	刘鹏强	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	1	1	1.0	1.0
5	周曦	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	2	1	1.0	1.0