高速率沉积磁控溅射技术制备Ge点的退火生长研究*

• 作者: 叶晓松 张鑫鑫 杨宇 王茺 靳映霞
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 锗纳米点 磁控溅射 原子迁移 激活能
• 年，卷（期）: 2014,（15）
• 所属期刊栏目: 气体、等离子体和放电物理
• 页码范围: 156802-1-156802-8
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.156802

摘要

采用磁控溅射技术在Si衬底上以350?C沉积14 nm的非晶Ge薄膜，通过退火改变系统生长热能，实现了低维Ge/Si点的生长.利用原子力显微镜(AFM)和拉曼(Raman)光谱所获得的形貌和声子振动信息，对Ge点的形成机理和演变规律进行了研究.实验结果表明：在675?C退火30 min后，非晶Ge薄膜转变为密度高达8.5×109 cm-2的Ge点.通过Ostwald熟化理论、表面扩散模型和对激活能的计算，很好地解释了退火过程中， Ge原子在Si表面迁移、最终形成纳米点的行为.研究结果表明用高速沉积磁控溅射配合热退火制备Ge/Si纳米点的方法，可为自组织量子点生长实验提供一定的理论支撑.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨宇	云南大学光电信息材料研究所	101	377	9.0	12.0
2	王茺	云南大学光电信息材料研究所	50	148	7.0	8.0
3	靳映霞	云南大学光电信息材料研究所	22	112	6.0	9.0
4	张鑫鑫	云南大学光电信息材料研究所	1	1	1.0	1.0
5	叶晓松	云南大学光电信息材料研究所	1	1	1.0	1.0