军用电子元器件的高过载性能研究

• 作者: 樊利军 魏昊 龙绪明
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 关键词: 电子元件 电子器件 抗高过载 研究动态 SMD 霍普金森杆
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 97-98
• 页数: 2页
• 字数: 1754字
• 语种: 中文

摘要

研究抗高过载能力是提升武器装备中电子元器件性能的重要环节.简介了军用电容器、MEMS器件以及试验装置等方面的研究动态.以石英晶体元件的霍普金森杆实验为例,验证了高过载实验的方法与意义,对提高军用电子元器件抗高过载能力研究具有参考意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龙绪明		19	83	6.0	8.0
2	魏昊		10	59	3.0	7.0
3	樊利军		16	52	4.0	6.0