埋层应变对溅射生长 Ge 量子点的影响

• 作者: 周曦 杨宇 杨杰 王茺 靳映霞
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 埋层应变 量子点生长 离子束溅射
• 年，卷（期）: 2014,（15）
• 所属期刊栏目: 工艺??技术
• 页码范围: 15148-15152
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 字数: 3978字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2014.15.032

摘要

利用离子束溅射制备双层 Ge/Si 量子点，通过变化 Si 隔离层厚度和 Ge 沉积量研究了埋层应变场对量子点生长的影响。实验中观察到隔离层厚度较薄时，双层结构中第2层量子点形成的临界厚度减小，生长过程提前；此外，随着 Ge 沉积量的增加，第2层量子点密度维持在一定范围，分布被调制的同时岛均匀长大呈现单模分布。增大隔离层厚度，埋层岛的生长模式在第2层岛生长时得到复制。通过隔离层传递的不均匀应变场解释了量子点生长模式的变化。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨杰	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	30	63	4.0	6.0
2	杨宇	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	101	377	9.0	12.0
3	王茺	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	50	148	7.0	8.0
4	靳映霞	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	22	112	6.0	9.0
5	周曦	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	2	1	1.0	1.0