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基于正交试验的芯片堆叠封装引线键合工艺研究
基于正交试验的芯片堆叠封装引线键合工艺研究
作者:
吴志中
唐宇
张鹏飞
李国元
黄杰豪
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
引线键合
键合功率
键合压力
系统级封装
正交试验
失效机理
摘要:
选取0.2032 mm (8 mil)金线采用热压超声键合工艺进行烧球、拉力和线尾等一系列正交试验,分析各个键合参数对键合质量的影响。研究结果表明,最优的引线键合工艺窗口为键合温度180℃或190℃、键合功率35 mW、键合时间15 ms或20 ms、键合压力0.12 N、烧球电流3200 mA、烧球时间350μs和尾丝长度20μm。在影响键合质量的各因素中,键合功率和键合压力对键合质量的影响显著,过大的键合功率会引起键合区被破坏,键合强度降低,过小的键合功率因能量不足会引起欠键合,键合强度降低。过大的键合压力会引起键合球变形而导致键合强度降低,过小的键合压力因欠键合而导致键合强度降低。
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引线键合匹配定位算法研究
引线键合
模板匹配
归一化互相关
利用压电换能器电信号检测引线键合质量
引线键合
超声电信号
特征提取
主分量分析
键合质量
内容分析
文献信息
引文网络
相关学者/机构
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关键词云
关键词热度
相关文献总数
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文献信息
篇名
基于正交试验的芯片堆叠封装引线键合工艺研究
来源期刊
电子元件与材料
学科
工学
关键词
引线键合
键合功率
键合压力
系统级封装
正交试验
失效机理
年,卷(期)
2014,(7)
所属期刊栏目
研究与试制
研究方向
页码范围
77-81
页数
5页
分类号
TN305
字数
3363字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1001-2028.2014.07.018
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
张鹏飞
华南理工大学电子与信息学院
2
3
1.0
1.0
2
唐宇
华南理工大学电子与信息学院
14
49
5.0
6.0
4
李国元
华南理工大学电子与信息学院
18
94
5.0
9.0
7
吴志中
华南理工大学电子与信息学院
3
5
2.0
2.0
8
黄杰豪
华南理工大学电子与信息学院
2
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引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
引线键合
键合功率
键合压力
系统级封装
正交试验
失效机理
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元件与材料
主办单位:
中国电子学会
中国电子元件行业协会
国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-2028
CN:
51-1241/TN
开本:
大16开
出版地:
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
邮发代号:
62-36
创刊时间:
1982
语种:
chi
出版文献量(篇)
5158
总下载数(次)
16
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