源漏电极的制备对氧化物薄膜晶体管性能的影响

• 作者: 兰林锋 宁洪龙 彭俊彪 徐华 李民 林振国 罗东向 肖鹏
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 氧化铟锌 源漏电极 溅射功率 薄膜晶体管
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 038501-1-038501-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.038501

摘要

本文采用钼-铝-钼(Mo/Al/Mo)叠层结构作为源漏电极,制备氧化铟锌(IZO)薄膜晶体管(TFT).研究了Mo/Al/Mo源漏电极中与IZO接触的Mo层溅射功率对TFT器件性能的影响.随着Mo层溅射功率的增加,器件开启电压(Von)负向移动,器件均匀性下降.通过X射线光电子能谱(XPS)深度剖析发现IZO/Mo界面有明显的扩散；当Mo层溅射功率减小时,扩散得到了抑制.制备的器件处于常关状态(开启电压为0.5 V,增强模式),不仅迁移率高(～13 cm2·V-1·s-1),而且器件半导体特性均匀.