磁控溅射Y薄膜对钆中N、O含量的影响

• 作者: 李国玲 李星国 李里 韩丽辉
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 经济
• 关键词: 磁控溅射 Y N O含量
• 年，卷（期）: 2014,（17）
• 所属期刊栏目: 研究??开发
• 页码范围: 17034-17035,17039
• 页数: 3页
• 分类号: F841
• 字数: 1345字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2014.17.006

摘要

在钆表面磁控溅射 Y 薄膜后真空退火,使Gd 基体中的 N、O 等间隙杂质扩散到 Y 薄膜中进而去除基体金属中 N、O 等气体杂质.该方法对去除间隙杂质效果明显,钆中 N、O 浓度显著降低,钆中 O、N浓度分别由1．87×10-4和9．7×10-5降为5．5×10-5,3．3×10-5.具体除杂量与其初始浓度和退火温度及时间有关,所得高纯钆用氧氮分析仪测量 O 含量,并对实验过程及结果进行讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩丽辉		42	188	8.0	11.0
2	李星国	北京大学化学与分子工程学院稀土材料化学及应用国家重点实验室	40	479	13.0	21.0
3	李国玲	北京大学化学与分子工程学院稀土材料化学及应用国家重点实验室	8	28	3.0	5.0
5	李里	北京大学化学与分子工程学院稀土材料化学及应用国家重点实验室	4	6	2.0	2.0