基于MEDICI的新型高压SOI P-LDMOS的仿真优化

• 作者: 赵海翔
• 来源期刊: 电子世界
• 关键词: MEDICI仿真 新型高压SOI P-LDMOS器件 参数优化
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 科研发展
• 页码范围: 100-101,102
• 页数: 3页
• 字数: 4435字
• 语种: 中文

摘要

本文以一个利用Triple RESURF结构实现的新型高压SOI P-LDMOS器件的实例来具体说明如何利用TCAD工具MEDICI对已知的器件结构进行仿真，并根据性能需要优化器件相关参数。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵海翔	电子科技大学微电子与固体电子学院	2	2	1.0	1.0