共溅射制备 Wx Si1－x/Si 多层膜应力的实验研究

• 作者: 冀斌 吴文娟 张一志 朱京涛
• 来源期刊: 光学仪器
• 学科: 物理学
• 关键词: 应力 多层膜 共溅射 磁控溅射 X 射线
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 367-370
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2243字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-5630.2015.04.018

摘要

采用直流磁控溅射技术制备了周期厚度为27．5 nm 的 W／Si 多层膜，使用实时应力测量装置对其应力特性进行了研究。为降低膜层应力，采用 W、Si 共溅射技术制备 Wx Si1－x 膜层替换 W 膜层，制备出 Wx Si1－x／Si 多层膜，与 W／Si 多层膜的应力特性进行了比较研究。结果表明，W／Si 多层膜为较大的压应力，测量值为－476．86 MPa，Wx Si1－x／Si 周期多层膜为较小的压应力，测量值为－102．84 MPa。因此采用共溅射制备 Wx Si1－x 代替 W 可以显著改善多层膜的应力特性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张一志	同济大学物理科学与工程学院	4	6	2.0	2.0
2	冀斌	同济大学物理科学与工程学院	3	0	0.0	0.0
3	朱京涛	同济大学物理科学与工程学院	16	94	4.0	9.0
4	吴文娟	上海应用技术学院理学院	5	2	1.0	1.0