磁控溅射AZO工艺中沉积温度的研究

• 作者: 李晓东 邵世强
• 来源期刊: 玻璃
• 学科: 工学
• 关键词: AZO薄膜 磁控溅射 沉积温度 ITO
• 年，卷（期）: 2015,（11）
• 所属期刊栏目: 玻璃深加工
• 页码范围: 32-35
• 页数: 4页
• 分类号: TQ171
• 字数: 2186字
• 语种: 中文

摘要

在采用磁控溅射制备AZO薄膜的过程中,AZO薄膜的光电性能取决于镀膜过程中的各种工艺参数,包括:溅射气压、沉积温度、溅射功率、靶基距等.本文主要研究在固定其它工艺参数不变的情况下,通过改变玻璃基板沉积温度在200 ℃、250℃、300℃、350℃、400℃、450℃、500℃的情况下分别制备AZO薄膜,通过分析研究玻璃基板沉积温度变化对制备AZO薄膜光电性能及结构的影响,筛选出制备高质量AZO膜的最佳沉积温度.