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摘要:
采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积了AZO透明导电薄膜,应用灰关联-田口实验法设计了L9(34)混合直交表,研究了制程工艺对薄膜沉积速率、电阻率、光穿透率、结晶性的影响.结果表明沉积薄膜的最佳制程参数为射频功率120 W、溅射压强2 Pa、靶材-基板距离8.5 cm、薄膜沉积时间90 min;实验显示最佳制程参数下所得透明导电薄膜沉积速率为8.04 nm/min,电阻率为2.6×10-3 Ω·cm,可见光穿透率维持在84%左右.
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文献信息
篇名 射频磁控溅射沉积AZO透明导电膜研究
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 氧化锌铝 磁控溅射 灰关联-田口法 电阻率 透光率
年,卷(期) 2013,(2) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 9-12
页数 4页 分类号 TB383
字数 2860字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-2028.2013.02.003
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 林茂用 福建信息职业技术学院机电工程系 15 42 4.0 6.0
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研究主题发展历程
节点文献
氧化锌铝
磁控溅射
灰关联-田口法
电阻率
透光率
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
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