抛光液中离子浓度对化学机械抛光过程的影响

• 作者: 林广川 潘国顺 解国新 郭丹
• 来源期刊: 中国表面工程
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 二氧化硅颗粒 离子浓度 双电层
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 表面工程研究
• 页码范围: 54-61
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.11933/j.issn.1007-9289.2015.04.007

摘要

在化学机械抛光过程中,抛光液中的离子浓度对化学机械抛光的速率和表面质量影响显著.为了解释化学机械抛光过程中抛光液中离子浓度的作用,利用荧光观察试验及实际抛光试验,研究抛光液中离子浓度对抛光过程的影响,并使用白光形貌仪观察抛光后表面质量.结果表明:颗粒运动速度随着抛光液中的硫酸钾浓度的增加而下降,材料去除率随硫酸钾浓度上升而提高.但是过高的离子浓度会导致表面质量下降.当硫酸钾浓度大于175 mmol/L时,抛光后晶片表面出现明显缺陷.为了兼顾完成质量和去除速率,应当选用硫酸钾浓度为150 mmol/L左右的抛光液.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭丹	清华大学摩擦学国家重点试验室	27	337	9.0	18.0
2	潘国顺	清华大学摩擦学国家重点试验室	27	358	12.0	18.0
3	解国新	清华大学摩擦学国家重点试验室	5	29	3.0	5.0
4	林广川	清华大学摩擦学国家重点试验室	2	8	2.0	2.0