ICPECVD法低温制备氧化硅薄膜的致密性

• 作者: 刘雨涛 张瑞 梁庭 熊继军 王心心 王涛龙
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电感耦合等离子体增强型化学气相淀积(ICPECVD) 氧化硅薄膜 正交试验 低温 致密性
• 年，卷（期）: 2015,（12）
• 所属期刊栏目: 材料与结构
• 页码范围: 761-764,785
• 分类号: TN304.055|TN304.21
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2015.12.003

摘要

以SiH4和O2作为反应气体,利用电感耦合等离子体增强型化学气相淀积(ICPECVD)技术在100～200℃内制备了氧化硅薄膜,采用HF酸腐蚀速率法来表征其致密性,并通过正交试验设计的方法研究了射频功率、反应室压强和衬底温度三个关键工艺参数对氧化硅薄膜致密性的影响,并对结果进行了优化.实验数据的方差分析结果表明,影响氧化硅致密性的工艺参数主次顺序为衬底温度、射频功率和反应室压强,并得到了各因素对氧化硅致密性的影响趋势,同时讨论了其影响机理.最后得出了制备氧化硅薄膜的最优化工艺参数组合.