3D硅基探测器研究现状

• 作者: 李贞杰 杨君 殷华湘 贾云丛
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 探测器 3D硅基探测器 综述 辐射 单面工艺 双面工艺 影响因素
• 年，卷（期）: 2015,（9）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 1-6
• 页数: 6页
• 分类号: O572.21+2
• 字数: 4982字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2015.09.001

摘要

柱电极垂直穿通硅片衬底的3D探测器和传统平面硅基探测器相比，具有耐辐射性、快速响应、低耗尽电压等优势，然而其器件结构、制备工艺以及系统集成上与传统结构不同，面临众多的技术挑战。近年许多机构对3D 探测器开展了一系列的研究以简化其制备工艺实现工业化，本文系统性总结了3D 硅基探测器的器件种类及特点、标准制备工艺等关键技术方法与路线，并对相关器件的性能与关键影响因素作出了总结，最后简要指出了3D硅基探测器的技术改进方向。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨君	中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室	12	88	6.0	9.0
10	殷华湘	中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室	11	23	3.0	4.0
14	李贞杰		3	3	1.0	1.0
15	贾云丛	中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心	2	6	2.0	2.0