多晶硅栅对LDMOS-SCR器件ESD防护性能的影响

• 作者: 梁海莲 毕秀文 董树荣 顾晓峰 魏志芬 黄龙
• 来源期刊: 浙江大学学报（工学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 静电放电 可控硅 横向扩散金属氧化物半导体 多晶硅栅 传输线脉冲测试
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 页码范围: 366-370
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 1673字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3785/j.issn.1008-973X.2015.02.025

摘要

为了研究多晶硅栅对内嵌可控硅（SCR）的横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS‐SCR）器件静电放电（ESD）防护性能的影响，基于0．35μm Bipolar‐CMOS‐DMOS （BCD）工艺制备了LDMOS‐SCR与SCR器件，并利用传输线脉冲测试比较它们的ESD特性．通过仿真2种器件在不同强度ESD应力下的电流密度分布，比较器件内部触发电流泄放路径的开启顺序；通过仿真2种器件在强电压回滞下的电流线和晶格温度的分布，分析因电场影响电流泄放的方式以及温度的分布而导致ESD鲁棒性的差异．仿真和测试结果表明，与SCR相比，具有多晶硅栅的LDMOS‐SCR有多条导通路径且开启速度快，有更均匀的电流和电场分布；触发电压降低了12．5％，失效电流提高了27．0％，ESD鲁棒性强．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾晓峰	江南大学轻工过程先进控制教育部重点实验室	115	265	9.0	11.0
2	董树荣	浙江大学微电子与光电子研究所	51	627	14.0	23.0
3	梁海莲	江南大学轻工过程先进控制教育部重点实验室	12	44	5.0	6.0
4	魏志芬		2	16	2.0	2.0
5	黄龙	江南大学轻工过程先进控制教育部重点实验室	1	7	1.0	1.0
6	毕秀文	江南大学轻工过程先进控制教育部重点实验室	1	7	1.0	1.0