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摘要:
采用PC1D模拟软件对p型物理冶金多晶硅太阳电池的SiO2/SiNx/SiNx叠层钝化减反射结构进行了计算模拟。结果表明:在SiN x/SiN x双层减反射结构中引入SiO 2钝化层后可以明显改善电池的外量子效率与表面减反射效果,并最终提高电池转换效率;随着SiO 2膜厚度的增加,电池表面反射率呈先降低后增加的趋势,而电池外量子效率及转换效率则呈现出相反的趋势。二氧化硅膜厚度在2~8 nm时,电池转换效率变化不大,并在6 nm时效率达到最大值18.04%,当二氧化硅膜厚度大于8 nm后电池转换效率会出现明显下降。
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文献信息
篇名 物理冶金多晶硅太阳电池叠层钝化减反射结构模拟
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 冶金多晶硅 太阳电池 SiO2/SiNx/SiNx 钝化 减反射 PC1D模拟
年,卷(期) 2015,(6) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 28-32
页数 5页 分类号 TM914.4
字数 3475字 语种 中文
DOI 10.14106/j.cnki.1001-2028.2015.06.008
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李健 内蒙古大学物理科学与技术学院 36 200 7.0 12.0
5 邹凯 3 7 2.0 2.0
6 和江变 4 7 2.0 2.0
7 马承鸿 2 5 1.0 2.0
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PC1D模拟
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电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
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16
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31758
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