μc-Si:H(n)/c-Si(p)异质结太阳能电池性能的模拟研究

• 作者: 刘淑平 吕雁文 聂慧军
• 来源期刊: 通信电源技术
• 学科: 工学
• 关键词: 太阳能电池 AFORS-HET 厚度 带隙
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 研制开发
• 页码范围: 63-65,69
• 页数: 4页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 1899字
• 语种: 中文

摘要

通过AFORS-HET软件分析了μc-Si:H(n)发射层,前后a-Si:H(i)本征层的厚度和带隙,对μc-Si:H(n)/a-Si:H (i)/c-Si(p)/a-Si:H(i)/μc-Si:H(p+)太阳能电池性能的影响.模拟得出a-Si:H(i)本征层通过钝化界面来提高太阳能电池的性能,同样μc-Si:H(p+)背场提高了电池的转换效率.μc-Si:H(n)发射层的厚度为6nm,带隙为1.6 eV;前后a-Si:H(i)本征层的厚度和带隙分别为3nm和1.6 eV,电池的性能达到最佳.此优化结果可以促进提高低成本高效率的太阳能电池技术.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘淑平	太原科技大学应用科学学院	28	44	4.0	5.0
2	聂慧军	太原科技大学应用科学学院	8	9	2.0	2.0
3	吕雁文	太原科技大学应用科学学院	9	24	3.0	4.0